پاورپوینت کامل و با عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی (CNTFET) در 18 اسلاید

پاورپوینت کامل و با عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی (CNTFET) در 18 اسلاید

پاورپوینت کامل و با عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی (CNTFET) در 18 اسلاید

نانولوله‌های کربنی که از صفحات کربن به ضخامت یک اتم و به شکل استوانه‌ای توخالی ساخته شده‌است در سال ۱۹۹۱ توسط سامیو ایجیما (از شرکت NEC ژاپن) کشف شد. نانو لوله های کربنی ،ساختارهای حلقوی تو خالی و متشکل از اتم های کربن هستندکه می توانند به شکل تک یا چند جداره آرایش یابند و دارای خواص فلزی و شبه رسانایی نیز هستند.نانو لوله های کربنی دارای سطح ویژه ی بسیار بالا،نفوذ پذیری زیاد وپایداری مکانیکی و حرارتی خوبی هستند.اگر چه تخلخل های...

پاورپوینت کامل با عنوان ترانزیستورهای تک الکترونی (SET) در 20 اسلاید

پاورپوینت کامل با عنوان ترانزیستورهای تک الکترونی (SET) در 20 اسلاید

پاورپوینت کامل با عنوان ترانزیستورهای تک الکترونی (SET) در 20 اسلاید

ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات الکتریکی و الکترونیکی‌است که برای تقویت و قطع و وصل سیگنال‌های الکترونیکی و توان الکتریکی کاربرد دارد. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نوع N و نوع P است. ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می‌شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FET). اعمال جریان در BJTها و...