مقدمه و تاریخچه سرعت و پیچیدگی فزاینده طراحیهای امروز افزایش قابل توجهی در مصرف توان چیپهای مجتمع مقیاس خیلی بزرگ (VLSI) را ایجاب میکند. برای پرداختن به این چالش، محققان تکنیکهای طراحی بسیار متفاوتی ارائه کردهاند تا توان را کاهش دهند. پیچیدگی آی سیهای امروزی، با بیش از ۱۰۰ میلیون ترانزیستور، با سنجش زمان بیش از ۱ گیگاهرتز، به معنی این است که بهینه سازی دستی توان بطور نامید کنندهای آهسته و با احتمال زیاد وقوع خطا...
دارهای الکتریکی، از بهم پیوستن افزارههای الکتریکی یا نافعّال (مقاومت، خازن، القاگر، لامپ، و …) یا افزارههای الکترونیکی یا فعّال (دیود، ترانزیستور، IC، و …) یا ترکیبی از آن دو پدید میآید؛ چنانکه دست کم یک مسیر بسته را ایجاد کنند و جریان الکتریکی بتواند در این مسیر بسته جاری شود. اگر عنصرها مشکّل مدار الکتریکی باشند، «مدار الکتریکی» نامیده میشود، و اگر عنصرها الکتریکی و الکترونیکی باشند، مدار الکترونیکی است. هر...
مدار در دانش مهندسی برق عبارت است از هر مسیر بستهای که بستر عبور جریان الکتریکی یاشارش باشد. با این تعریف مدار میتواند گرافی متشکل از رساناها و عناصر نیمههادی ونیمرسانا باشد که مسیر عبور جریان است. مدار همچنین با این تعریف میتواند مسیر بستهای باشد که شار الکتریکی یا مغناطیسی را از درون خود گذر میدهد. مدارها بر حسب دامنهٔ کارکرد به دو دسته تقسیم میشوند. مدارهایی با ابعاد فیزیکی بسیار کوچکتر از طول موج کاری و...
دیود (به انگلیسی: Diode)، (نامهای دیگر: «دوقطبی الکتریکی»، «یکسوساز») قطعه ای الکترونیکی است که دارای دو سر میباشد. دیود، جریان الکتریکی را در یک جهت از خود عبور میدهد (در این حالت، مقاومت دیود ایدهآل، صفر است) و در جهت دیگر، در مقابل گذر جریان از خود، مقاومت بسیار بالایی (در حدّ بینهایت) نشان میدهد. این خاصیّت دیود، باعث شده بود تا در سالهای اولیهٔ ساخت این قطعهٔ الکترونیکی، به آن «دریچه» نیز اطلاق شود. در...
ترانزیستور پیوندی دوقطبی یا بیجیتی (بهانگلیسی: BJT) توعی ترانزیستور است که دارای سه پایه به نامهای بیس (B)، امیتر (E) و کلکتور (C) میباشد و چون در این قطعه اثر الکترونها و حفرهها هر دو مهم است، به آن ترانزیستور دوقطبی گفته میشود و در مقابل ترانزیستورهای تکقطبی، مانند ترانزیستور اثر میدان و ترانزیستور اتصال نقطهای، قرار میگیرد که تنها یک نوع حامل بار دارند. تاریخچه عصر نوین الکترونیک نیمه رساناها با اختراع...