دید کلی عمل تقویت کنندگی سیگنال سادهترین کار در پردازش سیگنال است. چون مبدلها سیگنالهای ضیعفی بدست میدهند که انرژی کمی دارند و دامنه آنها حدود میکروولت یا میلیولت است، بنابراین به تقویت نیاز دارند. چنین سیگنالهای کوچکی برای پردازش مناسب نیستند، چنانچه دامنه آنها بزرگتر شود، عمل پردازش آنها بسیار آسانتر صورت میگیرد. قسمتی که چنین کاری را انجام میدهد، تقویت کننده سیگنال نامیده میشود.استفاده از تقویت کننده...
ایدهٔ بکارگیری تقویتکنندههای عملیاتی یا اپاَمپ (به انگلیسی: op-amp یا Operational amplifier) نخستینبار در دههٔ ۱۹۴۰م و در مدار رایانههای آنالوگ مطرح شد. در این کاربرد با قرار دادن عنصرهای گوناگون میان سرهای ورودی و خروجی تقویتکننده عملیاتی مدارهای گوناگون با کاراییهای متفاوت طراحی میشد؛ و به وسیله آنها عملگرهای ریاضی مانند جمع، تفریق، ضرب، تقسیم، مشتق گیری و انتگرال گیری پیاده میشد. بدین ترتیب امکان پیادهسازی...
ترکیب کنندهی فرکانسی یکی از بخشهای اساسی فرستنده/گیرندهی بیسیم میباشد. وظیفهی این بلوک تولید فرکانس محلی برای انجام عملیات تبدیل فرکانس، از باند پایه به فرکانس بالا و برعکس، در مدار ورودی فرستنده/گیرنده است. هدف از این پایاننامه طراحی ترکیب کنندهی فرکانسی کسری GHz4/2 مناسب برای استاندارد(IEEE 802.15.4) زیگبی است. این استاندارد از 16 کانال با فاصلهی بین کانالی MHz5 تشکیل شده است. طراحی ترکیب کنندهی فرکانسی باید از نظر...
ترکیب کنندهی فرکانسی یکی از بخشهای اساسی فرستنده/گیرندهی بیسیم میباشد. وظیفهی این بلوک تولید فرکانس محلی برای انجام عملیات تبدیل فرکانس، از باند پایه به فرکانس بالا و برعکس، در مدار ورودی فرستنده/گیرنده است. هدف از این پایاننامه طراحی ترکیب کنندهی فرکانسی کسری GHz4/2 مناسب برای استاندارد(IEEE 802.15.4) زیگبی است. این استاندارد از 16 کانال با فاصلهی بین کانالی MHz5 تشکیل شده است. طراحی ترکیب کنندهی فرکانسی باید از نظر...
ترانزیستور پیوندی دوقطبی یا بیجیتی (بهانگلیسی: BJT) توعی ترانزیستور است که دارای سه پایه به نامهای بیس (B)، امیتر (E) و کلکتور (C) میباشد و چون در این قطعه اثر الکترونها و حفرهها هر دو مهم است، به آن ترانزیستور دوقطبی گفته میشود و در مقابل ترانزیستورهای تکقطبی، مانند ترانزیستور اثر میدان و ترانزیستور اتصال نقطهای، قرار میگیرد که تنها یک نوع حامل بار دارند. تاریخچه عصر نوین الکترونیک نیمه رساناها با اختراع...