نگاه اجمالی شاید برای افرادی که آشنایی کمتری با فیزیک دارند ، تعجب آور باشد که در مباحث فیزیک ، از واژهالکترونیک یاد شود. اما اگر مباحث مطرح در فیزیک را از نظر بگذرانیم ملاحظه میکنیم فیزیک و الکترونیک دو واژهای هستند که با هم مانوس بوده و تقریبا وابسته به یکدیگرند. بعنوان مثالترانزیستور یک وسیله الکترونیکی است که نحوه اتصال آن در مدار در الکترونیک مورد بررسی قرار میگیرد. اما ساختار ترانزیستور ، مشخصههای ترانزیستور و اطلاعات...
کاربید سیلیسیوم با فرمول شیمیایی SiC، یکی از مواد دیرگداز است که بهصورت خام در طبیعت یافت نمیشود. این ماده بهصورت مصنوعی ساخته (اصطلاحاً سنتز) میشود. کاربرد آن در ساخت محصولات دیرگداز و سایندهها است. این محصولات عمدتاً در کوره بلند، دستگاههایاسیدشویی، کوره قائم مس کاتدی، انواع نازلها و کورههای ذوب فلزات مورد استفاده قرار میگیرد. سنتز سنتز کاربید سیلیسیم با استفاده از روش موسوم به فرایند اچسون صورت...
نیمرسانا یا نیمههادی (به انگلیسی: Semiconductor) عنصر یا مادهای است که در حالت عادی عایق باشد، ولی با افزودن مقداری ناخالصی قابلیّت هدایت الکتریکی پیدا کند. (منظور از ناخالصی عنصر یا عناصر دیگریست غیر از عنصر اصلی یا پایه. مثلاً اگر عنصر پایه سیلیسیوم باشد ناخالصی میتواند آلومنیوم یا فسفر باشد) نیمهرساناها در نوار ظرفیت خود چهار الکترون دارند. میزان مقاومت الکتریکی نیمهرساناها بین رساناها ونارساناها میباشد. از نیمه...
واپخش با پخش مولکولی (به انگلیسی: diffusion) پدیدهای است که پخش ناشی از حرکت اتفاقی مولکولها از غلظت بیشتر به غلظتهای پایین را توصیف میکند. همچنین این پدیده در جانداران در تبادل مواد و املاح، بین سلولها و خون در گردش نقش اساسی دارد. کلیهٔ مولکولها و یونهای موجود در مایعات بدن در حال حرکت دائم هستند و هر ذره به راه جداگانهٔ خود میرود. وقتی یک مولکول به مولکول دیگری نزدیک میشود، نیروهای الکتروستاتیکی و بین هستهای مولکول...
کاشت یون (به انگلیسی: ion implantation) فرایندی در مهندسی مواد است که در آن یونهای برخی مواد را میتوان در مادهای دیگر کاشت و ویژگیهای فیزیکی آن ماده را تغییر داد. این فرایند در ساخت نیمهرساناها و پرداخت فازها کاربرد دارد. برای کاشت یون، نیاز به یک منبع یون است که با به بکاربردن شتابدهنده ذرهای یونها را میتوان با سرعت زیاد روی سطح مورد نیاز کاشت. هر یون یک اتم یا مولکول است بنابراین مقدار یون انباشت شده روی سطح...